特許
J-GLOBAL ID：200903084251570420
電子回路装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-376533
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184811
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】異方性導電フィルムにより接続されるフリップチップ実装構造において、熱応力に対する信頼性を高める条件に基づいて設計された信頼性の高いフリップチップ実装形態の電子回路装置とその製造方法を提供する。【解決手段】異方性導電フィルム3を介して電極21が形成された配線基板2上にバンプ11が形成された半導体チップ10が実装された電子回路装置であって、電極21と接合しているバンプ11のボトム径Aと、バンプ11の半導体チップ10から電極21と接合するまでの高さHと、異方性導電フィルム3を構成する樹脂成分30のガラス転移温度以下における線膨張率F(mm/°C)およびヤング率E(kgf/mm<SP>2</SP> )とを下記式で規定される範囲にバンプ11が形成されている構成とする。10<(A/H)+(1000×E×F)<22
請求項（抜粋）：
複数の電極が形成された配線基板と、複数のバンプが形成された半導体集積回路チップとを有し、異方性導電フィルムを介して、対応する位置の電極とバンプとが接合され、さらに、上記異方性導電フィルムにより、電極とバンプとの接合部分が包囲され、かつ、上記配線基板と上記半導体集積回路チップとが接着されている電子回路装置であって、上記電極と接合している上記バンプのボトム径Aと、上記バンプの上記半導体集積回路チップから上記電極と接合するまでの高さHと、上記異方性導電フィルムを構成する樹脂成分のガラス転移温度以下における線膨張率F(mm/°C)およびヤング率E(kgf/mm<SP>2</SP> )とが、下記式(1)で規定される範囲となるように、上記バンプが形成されている電子回路装置。 a<SB>L</SB> <(A/H)+(1000×E×F)<a<SB>U</SB> ・・・(1)但し、a<SB>L</SB> は下限値であり、a<SB>U</SB> は上限値である。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
, H05K 3/32
H01L 21/60 311 S
, H05K 3/32 B
, H01L 21/92 602 G
5E319AA03
, 5E319AB05
, 5E319AC17
, 5E319BB16
, 5E319CC61
, 5E319GG11
, 5F044KK01
, 5F044LL09
, 5F044QQ02
