特許
J-GLOBAL ID:200903084381424302

研磨用パッド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 喜幾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-203122
公開番号(公開出願番号):特開2004-042189
出願日: 2002年07月11日
公開日(公表日): 2004年02月12日
要約:
【課題】例えば半導体ウェハ等の化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)に好適に使用されると共に、優れた段差緩和性および面内均一性を達成し、反応射出成形により一体的に成形されている単層の研磨用パッドを提供する。【解決手段】ポリウレタン系樹脂原料に不活性ガスを加圧下で溶解させたガス溶存原料を反応射出成形法により成形して得た所要形状のポリウレタン系発泡体12であって、半導体材料等の研磨に適した研磨面14aを有し、そのショアーD硬度が40〜80の範囲にある研磨領域14と、前記研磨面14aの反対側に存在し、所要パターンの応力調整部22を設けることで、0.05MPaの荷重を掛けた際の撓み量が15μm以上に設定されている応力緩和領域16とからなる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ポリウレタンまたはポリウレアの主原料と各種副原料との混合物に不活性ガスを加圧下で溶解させたガス溶存原料を使用し、このガス溶存原料を反応射出成形法により成形して得た微細かつ均一なセル(18)を有する所要形状のポリウレタン系発泡体(12)であって、 半導体材料等の研磨に適した研磨面(14a)を有し、そのショアーD硬度(ASTM D 2240に規定)が40〜80、好ましくは55〜75の範囲にある研磨領域(14)と、 前記研磨面(14a)の反対側に存在し、所要パターンの応力調整部(22)を設けることで、0.05MPaの荷重を掛けた際の撓み量が、15μm以上に設定されている応力緩和領域(16)とからなる ことを特徴とする研磨用パッド。
IPC (4件):
B24B37/00 ,  C08J5/14 ,  C08J9/12 ,  H01L21/304
FI (4件):
B24B37/00 C ,  C08J5/14 ,  C08J9/12 ,  H01L21/304 622F
Fターム (17件):
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  4F071AA52 ,  4F071AA53 ,  4F071AH12 ,  4F071DA17 ,  4F071DA20 ,  4F074AA78 ,  4F074AA86 ,  4F074BA39 ,  4F074BA44 ,  4F074BA53 ,  4F074CA27 ,  4F074DA56
引用特許:
審査官引用 (8件)
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