特許
J-GLOBAL ID：200903084627382418

半導体装置およびその製造方法

発明者：
竹脇 利至

竹脇 利至 について

, 
小田 典明

小田 典明 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-101882
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286264
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】信頼性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板の上部に設けられている、エッチング阻止膜101、絶縁膜100、エッチング阻止膜103、絶縁膜102、エッチング阻止膜105および絶縁膜104からなる多層絶縁膜を有する絶縁部と、絶縁部上に設けられているヒューズ122a、122b、122cと、ヒューズ122a、122b、122c直下の領域を囲むように、絶縁部に埋設されている銅含有金属膜121h、バリアメタル膜123h、銅含有金属膜121gおよびバリアメタル膜123gからなるシールリングと、を備える半導体装置を提供する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の上部に設けられている二層以上の層間絶縁膜を有する絶縁部と、 前記絶縁部上に設けられているヒューズと、 前記ヒューズ直下の領域を囲むように、前記絶縁部に埋設されているシールリングと、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/82 ,  H01L21/3205
FI (2件)：
H01L21/82 F ,  H01L21/88 S
Fターム (40件)：
5F033HH07 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR22 ,  5F033UU03 ,  5F033VV03 ,  5F033VV11 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F064DD48 ,  5F064EE32 ,  5F064FF27 ,  5F064FF33 ,  5F064FF42 ,  5F064GG00 ,  5F064GG03
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-007712   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274544   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278627   出願人：セイコーエプソン株式会社
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審査官引用 (4件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278627   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-076962   出願人：富士通株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-108766   出願人：日本電気株式会社
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