特許
J-GLOBAL ID：200903084861594674
単層カーボンナノチューブの製造方法およびその製造装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
牛木 護
, 清水 栄松
, 外山 邦昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-219344
公開番号（公開出願番号）：特開2006-036593
出願日： 2004年07月27日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 本発明は、単層カーボンナノチューブのみを比較的低温で、効率よく高純度に製造でき、生成速度が速く、量産性に優れた単層カーボンナノチューブの製造方法および製造装置を提供することを目的とするものである。 【課題を解決するための手段】 基板の表面をクリーニングする工程と、クリーニングされた基板の表面に、触媒材料を形成する工程と、続いてカーボンナノチューブを形成する工程と、その後、形成された不純物を削減する工程とを含むカーボンナノチューブの製造方法において、触媒材料を形成する工程で、触媒材料を形成する前に、前記クリーニングされた基板の表面に、基板の表面と触媒材料との反応を防止するための反応防止層を形成し、触媒材料形成後、その上に分散材料を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の表面に単層カーボンナノチューブを形成する工程において、
前記カーボンナノチューブの原料となる原料ガスおよびキャリアガスなどを、減圧下でマイクロ波電力を印加し、それによって生じたプラズマ発光部から前記基板を離し、かつ前記プラズマ発光部内もしくはその近傍で生じたラジカルがラジカル状態で前記基板に到達できる位置に設置することを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。
IPC (3件)：
C01B 31/02
, B01J 37/02
, B01J 23/745
C01B31/02 101F
, B01J37/02 301P
, B01J23/74 301M
4G069AA03
, 4G069AA08
, 4G069BA02B
, 4G069BB04B
, 4G069BC16B
, 4G069BC66B
, 4G069CB81
, 4G069DA05
, 4G069EA08
, 4G069FA05
, 4G069FB02
, 4G146AA12
, 4G146AC02B
, 4G146AC16B
, 4G146AD21
, 4G146AD28
, 4G146BA12
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC27
, 4G146BC38B
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G146CA03
, 4G146CA17
, 4G146DA03
, 4G146DA16
, 4G146DA23
, 4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169BA02B
, 4G169BB04B
, 4G169BC16B
, 4G169BC66B
, 4G169CB81
, 4G169DA05
, 4G169EA08
, 4G169FA05
, 4G169FB02
