特許
J-GLOBAL ID：200903084947429501
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036099
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246641
出願日： 2001年02月13日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗化による動作電圧の低下及び高輝化を実現することが可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 減圧気相成長法によりInGaNから成るp型窒化ガリウム系化合物半導体層Pを形成した後、該層の上側に少なくとも400°C以上の温度では電子が主なキャリアとなる金属層2または半導体層2を形成し、減圧不活性ガス雰囲気下で降温させる。そして金属層2または半導体層2の上側にp電極PT、n型窒化ガリウム系化合物半導体層Nの上側にn電極NTをそれぞれ形成する。
請求項（抜粋）：
基板上にn型窒化ガリウム系化合物半導体層及びp型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層はInGaNにより構成されており、該p型窒化ガリウム系化合物半導体層の上側に形成され、少なくとも400°C以上の温度では電子が主なキャリアとなる金属層または半導体層と、該金属層または半導体層の上側に形成されたp電極と、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層の上側に形成されたn電極とを備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
Fターム (10件)：
5F041AA04
, 5F041AA24
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041DA09
, 5F041DA18
, 5F041DA44
