特許
J-GLOBAL ID：200903085266771445

半導体素子の製造方法

発明者：
小笠原 裕美

小笠原 裕美 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185551
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009031
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 窒化膜が露出し始めた点のトルク電流の変化をモニターしやすくすることにより、確実な終点検出を行うことができる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子の製造方法において、Si基板1にトレンチを形成した後、酸化膜3で埋め込み、AST窒化膜4,4′を形成した後にウエハ外周部5上のみの窒化膜4′を除去し、表面を酸化膜3とする工程と、これを終点検知しながら研磨する際に、ウエハ全面で表面が酸化膜である面積を増加させることで、酸化膜の研磨から窒化膜の研磨が始まる時の終点検知のトルク電流の変化が現れやすくする工程とを施す。
請求項（抜粋）：
半導体素子の製造方法において、(a)Si基板にトレンチを形成した後、酸化膜で埋め込み、AST窒化膜を形成した後にウエハ外周部の窒化膜のみを除去し、表面を酸化膜とする工程と、(b)これを終点検知しながら研磨する際に、ウエハ全面で表面が酸化膜である面積を増加させることにより、酸化膜の研磨から窒化膜の研磨が始まる時の終点検知のトルク電流の変化が現れやすくする工程とを施すことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/76
FI (4件)：
H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/04 K ,  H01L 21/76 L
Fターム (10件)：
3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA07 ,  3C058BA09 ,  3C058CB03 ,  3C058CB04 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032DA33 ,  5F032DA78
引用特許：
審査官引用 (6件)
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