特許
J-GLOBAL ID：200903085408427518
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-202505
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036071
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜の特性向上を図り、信頼性の高いトレンチ型MOSFET半導体製造装置の製造方法を提供する。【解決手段】 マスク材としての酸化膜11を後退エッチングして、トレンチ8開口付近の半導体基板のpベース2表層を露出させる。つぎに、熱酸化によりこの露出領域およびトレンチ8内部に犠牲酸化膜を形成した後、 pベース2表層およびトレンチ8底部に向けてn+不純物を0度の角度でイオン注入する。そして、熱処理によってトレンチ8内部から半導体基板のpベース2表面にまで延在するようにゲート絶縁膜4を形成するとともに、pベース2の表層およびトレンチ8底部に注入された高濃度の不純物イオンを活性化させてソース領域3およびウェル領域10を同時に形成するものである。これにより、高濃度不純物のソース領域3およびウェル領域10に位置するゲート絶縁膜4の膜厚を厚く形成されるので、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧を高めるなど特性向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に酸化膜からなる所定パターンのマスク材を形成する工程と、このマスク材を用いて前記半導体基板にトレンチを形成する工程と、等方性エッチングにより前記マスク材を後退させてトレンチ開口付近の前記半導体基板表面を露出させ、この露出領域およびトレンチ内部の表面に犠牲酸化膜を形成する工程と、この犠牲酸化膜の形成後に、前記露出領域およびトレンチ底部の前記半導体基板表面に前記半導体基板と同じ極性を持つ導電型不純物をイオン注入する工程と、前記犠牲酸化膜を全て剥離した後、熱酸化により少なくとも前記トレンチ内部から前記露出領域表面にまで延在するゲート絶縁膜を形成するとともに、前記露出領域およびトレンチ底部に注入された不純物イオンを活性化させて前記露出領域にソース領域、前記トレンチ底部にウェル領域を同時に形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 658 G
