特許
J-GLOBAL ID：200903085448075134
リソグラフィ構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-002614
公開番号（公開出願番号）：特開2001-242630
出願日： 2001年01月10日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 少なくとも1層が構造式R:C:H:X(RはSi、Ge、B、Sn、Fe、Ti、およびこれらの混合物からなる群から選択されたものであり、Xは存在しないか、またはO、N、S、Fからなる群から選択されたもの)を有する材料を含むRCHX層である複数の層、およびエネルギー活性材料の層を備えた、リソグラフィ構造、ならびにその製法および利用方法の提供。【解決手段】 RCHX層は、蒸着により形成し、エネルギー活性材料をパターニングしてパターンを形成し、このパターンをRCHX層に転写する。RCHX層は、ハードマスク層、反射防止層、およびハードマスク/反射防止層として有用である。
請求項（抜粋）：
少なくとも1層が構造式R:C:H:X(RはSi、Ge、B、Sn、Fe、Ti、およびこれらの混合物からなる群から選択されたものであり、Xは存在しないか、またはO、N、S、Fからなる群から選択されたもの)を有する材料を含むRCHX層である複数の層、およびエネルギー活性材料の層を備えた、リソグラフィ構造。
IPC (4件)：
G03F 7/11 503
, G02B 1/11
, G02B 1/10
, H01L 21/027
G03F 7/11 503
, G02B 1/10 A
, G02B 1/10 Z
, H01L 21/30 574
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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