特許
J-GLOBAL ID：200903085458629480
基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-023066
公開番号（公開出願番号）：特開2009-187975
出願日： 2008年02月01日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：
【課題】基板の加工に適したラジカル種密度を増大させ、イオンラジカルエネルギーを基板の加工に適したエネルギー値、狭帯域エネルギー幅に制御して、精緻加工を行うことができ、また、優れた埋め込み成膜を行うことが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】チャンバー21内に配置された基板保持電極22及び対向電極23と、基板保持電極22に対して50MHz以上の高周波を印加する高周波発生装置27と、この高周波と重畳するようにDC負パルス電圧を印加するDC負パルス発生装置29と、高周波の印加が間欠的に行われるよう制御するとともに、高周波のオン・オフのタイミングに応じてDC負パルス電圧の印加が間欠的に行われるよう制御する制御器30を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内部を真空に保持可能とされたチャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成された基板保持電極と、
前記チャンバー内において、前記基板保持電極と対向するように配置された対向電極と、
前記基板保持電極に対して50MHz以上の所定周波数の高周波電圧を印加するための高周波電圧印加手段と、
前記基板保持電極に対して前記高周波電圧と重畳するようにして所定のDC負パルス電圧を印加するためのDC負パルス電圧印加手段と、
前記高周波電圧印加手段のオン・オフを所定タイミングで行い、前記高周波電圧の印加が間欠的に行われるよう制御するとともに、当該高周波電圧印加手段のオン・オフのタイミングに応じて前記DC負パルス電圧印加手段のオン・オフを制御し、前記DC負パルス電圧の印加が間欠的に行われるよう制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする基板のプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, H01L 21/205
, C23C 16/509
, H05H 1/46
H01L21/302 101B
, H01L21/205
, C23C16/509
, H05H1/46 M
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA03
, 4K030KA18
, 4K030KA30
, 4K030LA15
, 5F004BB11
, 5F004BB12
, 5F004DA02
, 5F004DA18
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F045AA08
, 5F045AC01
, 5F045AC02
, 5F045EH14
, 5F045EH20
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)
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