特許
J-GLOBAL ID：200903097548763648
基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
須山 佐一
, 川原 行雄
, 山下 聡
, 須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-082014
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243568
出願日： 2007年03月27日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】平行平板型プラズマ処理装置において、基板の加工に適したイオンエネルギーを有し、さらにそのイオンエネルギー幅を小さくして、加工形状を精緻に制御することが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】内部が真空に保持されたチャンバー21と、この内部に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたRF電極22、及びこのRF電極22と対向するように配置された対向電極23と、前記RF電極22に対して所定周波数のRF電圧を印加するためのRF電源27と、前記RF電極22に対して前記RF電圧と重畳するようにして所定のパルス電圧を印加するためのパルス電源29とを有するようにプラズマ処理装置を構成する。前記パルス電源29は、前記パルス電圧の前記印加のタイミングを調整し、前記パルス電圧を印加しない休止時間を設定する制御機構を有する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
内部が真空に保持可能なチャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたRF電極と、
前記チャンバー内において、前記RF電極と対向するように配置された対向電極と、
前記RF電極に対して所定周波数のRF電圧を印加するためのRF電圧印加手段と、
前記RF電極に対して前記RF電圧と重畳するようにして所定のパルス電圧を印加するためのパルス電圧印加手段とを具え、
前記パルス電圧印加手段は、前記パルス電圧の前記印加のタイミングを調整し、前記パルス電圧を印加しない休止時間を設定する制御機構を有することを特徴とする、基板のプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, H01L 21/306
, C23C 14/34
, C23C 16/515
H05H1/46 M
, H01L21/302 101B
, C23C14/34 U
, C23C16/515
4K029DC33
, 4K030KA30
, 5F004AA02
, 5F004AA05
, 5F004BA04
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB12
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004CA08
, 5F004DA00
, 5F004DB01
, 5F004EB01
, 5F004EB04
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (13件)
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