特許
J-GLOBAL ID：200903085611903856

III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
山口 敦史

山口 敦史 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-225342
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071657
出願日： 2002年08月01日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】III族窒化物半導体基板の(000-1)面上に、剥離しにくく、かつ低抵抗な電極を備えたIII族窒化物半導体素子を実現する。【解決手段】n型GaN基板101の(000-1)面上に、エッチングすることにより、(000-1)面以外の結晶面が露出したファセット面を有する突起部113を設ける。その後、Ti、Alをn型GaN基板101の(000-1)面上に蒸着させ、熱処理を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体基板と、該III族窒化物半導体基板の主面上に設けられたIII族窒化物半導体からなる能動素子部とを備えたIII族窒化物半導体素子であって、前記III族窒化物半導体基板は裏面に突起部を有し、該突起部を覆うように電極層が設けられたことを特徴とするIII族窒化物半導体素子。
IPC (7件)：
H01S5/323 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/41 ,  H01L33/00 ,  H01S5/042
FI (8件)：
H01S5/323 610 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/308 C ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01S5/042 614 ,  H01L21/302 105A ,  H01L29/44 L
Fターム (39件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004EA37 ,  5F004EB02 ,  5F004EB08 ,  5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11 ,  5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043DD07 ,  5F043FF10 ,  5F043GG04 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM