特許
J-GLOBAL ID：200903094075341520

窒化物系半導体素子及びその製造方法

発明者：
林 伸彦

林 伸彦 について

, 
狩野 隆司

狩野 隆司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050777
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252591
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 動作電圧が低減した窒化物系半導体素子を形成する。【解決手段】 p-コンタクト層8の上面にp-電極12が形成されている窒化物系半導体レーザにおいて、p-コンタクト層8の上面がC面に対して0.03°以上、10°以下の範囲で傾斜している傾斜面であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
窒化物系半導体層の表面上に電極が形成されている窒化物系半導体素子において、前記電極が形成されている前記窒化物半導体層の表面がC面に対して0.03°以上、10°以下の範囲で傾斜している傾斜面であることを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 C
Fターム (18件)：
5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CB05 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB17 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (23件)
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