特許
J-GLOBAL ID:200903085740172639
薄膜の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
細田 益稔
, 青木 純雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-345846
公開番号(公開出願番号):特開2007-146262
出願日: 2005年11月30日
公開日(公表日): 2007年06月14日
要約:
【課題】比較的に大面積でかつ欠陥の少ない薄膜を、パルス電圧印加によって生成するプラズマから形成する方法を提供することである。【解決手段】炭素源を含む原料ガスを含む雰囲気下で100〜1600Torrの圧力下において基盤電極5とこの基盤電極5に対向する対向電極7との間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、薄膜6を生成させる。パルス電圧のパルス継続時間が10〜1000nsecである。パルス電圧の印加方向Wと交差する方向Eへと向かって、対向電極5を基盤電極5に対して相対的に移動させながら薄膜6を生成させる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
炭素源を含む原料ガスを含む雰囲気下で100〜1600Torrの圧力下において、基盤電極とこの基盤電極に対向する対向電極との間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、薄膜を生成させるのに際して、前記パルス電圧のパルス継続時間が10〜1000nsecであり、前記パルス電圧の印加方向と交差する方向へと向かって前記対向電極と前記基盤電極との少なくとも一方を移動させながら前記薄膜を生成させることを特徴とする、薄膜の製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (14件):
4K030AA06
, 4K030AA08
, 4K030AA10
, 4K030AA16
, 4K030AA18
, 4K030BA28
, 4K030CA04
, 4K030FA01
, 4K030JA03
, 4K030JA09
, 4K030JA11
, 4K030KA15
, 4K030KA17
, 4K030KA30
引用特許: