気相成長装置および気相成長膜形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大井正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128068
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324788
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】ウエハなどの表面に、有機金属含有ガスを含む原料ガスによる気相成長膜を高い均一性で形成する気相成長装置および方法を提供する。【解決手段】気相成長装置は、平板状の基板が配置される反応容器内に、有機金属含有ガスよりなる第1のガスを供給する第1のガス導入管と、有機金属含有ガスと反応し、密度の小さい第2のガスを供給する第2のガス導入管とが配設され、第1のガス導入管のガス噴出口と、第2のガス導入管のガス噴出口とは、基板の外周方向に並んで配置され、第1のガスが、第2のガスの流れにより、基板の面に沿って延展拡散されることを特徴とする。第1のガス導入管では、ガス噴出口がスリット状貫通孔により形成されていることが好ましい。気相成長膜形成方法は、この気相成長装置を用いて、平板状の基板の表面に気相成長膜を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

平板状の基板が配置される反応容器内に、有機金属含有ガスよりなる第1のガスを供給するための第1のガス導入管と、当該有機金属含有ガスと反応し、当該有機金属含有ガスより密度の小さい第2のガスを供給するための第2のガス導入管とが配設されてなり、第1のガス導入管のガス噴出口と、第2のガス導入管のガス噴出口とは、反応容器内の基板の外周方向に沿って並んで配置され、第1のガス導入管のガス噴出口よりの第1のガスが、第2のガス導入管のガス噴出口よりの第2のガスの流れにより、基板の面に沿って延展拡散されることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/455

Fターム (26件)：

4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA46 , 4K030CA04 , 4K030EA03 , 4K030EA08 , 4K030FA10 , 4K030JA04 , 4K030KA04 , 4K030KA08 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045BB01 , 5F045DP19 , 5F045EB02 , 5F045EC02 , 5F045EC07 , 5F045EF03 , 5F045EF08

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置ならびにウェ-ハ支持治具及び出入れ治具
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-008378 出願人：株式会社エフティーエル
半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-102825 出願人：株式会社エフティーエル
特開平1-235236

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