特許
J-GLOBAL ID：200903051855366818

シリコンウェハの接合方法

発明者：
齊藤 宏

齊藤 宏 について

, 
赤井 澄夫

赤井 澄夫 について

, 
片岡 万士

片岡 万士 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335479
公開番号（公開出願番号）：特開2001-155976
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板同士を接合する際に、接合面におけるボイドの発生を抑え、接合界面での剥離等のおそれがないシリコンウェハの接合方法を提供する。【解決手段】 回路素子3が形成された第1のシリコン基板1と、台座となる第2のシリコン基板11とを重ね合わせて接合する際に、第1のシリコン基板1にAuの拡散を防止する拡散防止層4を形成し、その上にAu層5を形成し、第2のシリコン基板にAuの拡散を防止する拡散防止層13を形成し、その上にポリシリコン層14を形成し、第1のシリコン基板1のAu層5と第2のシリコン基板11のポリシリコン層14とを重ね、所定の荷重及びAu-Si共晶温度以上の温度を加えて両シリコン基板1,11を接合する。拡散防止層は、金属薄膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、SiC層、アルミナ層、ボロン拡散層又はAuリッチ層で形成する。
請求項（抜粋）：
回路素子が形成された第1のシリコン基板と、台座となる第2のシリコン基板とを重ね合わせて接合するシリコンウェハの接合方法であって、前記第1のシリコン基板にAuの拡散を防止する拡散防止層を形成し、その上にAu層を形成し、前記第2のシリコン基板にAuの拡散を防止する拡散防止層を形成し、その上にポリシリコン層を形成し、前記第1のシリコン基板のAu層と前記第2のシリコン基板のポリシリコン層とを重ね、所定の荷重及びAu-Si共晶温度以上の温度を加えて両シリコン基板を接合することを特徴とするシリコンウェハの接合方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/52 ,  H01L 29/84 ,  H01L 41/08
FI (4件)：
H01L 21/02 B ,  H01L 21/52 D ,  H01L 29/84 B ,  H01L 41/08 Z
Fターム (23件)：
4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA15 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA08 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA14 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA08 ,  4M112EA11 ,  5F047AA00 ,  5F047AB08 ,  5F047AB09 ,  5F047AB10 ,  5F047BA42 ,  5F047BC01 ,  5F047BC02
引用特許：
審査官引用 (26件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-120138   出願人：日本電装株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-264642   出願人：株式会社デンソー
  • 特開昭57-128039
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