特許
J-GLOBAL ID：200903086085532186
フラッシュアニールを使用した選択的な加熱
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-533967
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525018
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
シリコン基板を注入された水素イオンによって画定される領域で分離させるための製法で、シリコン基板に水素イオンを注入すること、シリコン基板を支持基板に重ねること、シリコン基板及び支持基板にフラッシュアニール加熱処理を加えることを含んでいる。【課題】SOI構造を破損せず、生産時間が長くかからない、SOIウエハを作製するより良い方法を提供する。【解決手段】フラッシュアニールアセンブリ214は、SOI構造212に近接して配置され、フラッシュアニールアセンブリ214から放出された放射エネルギー216が、SOI構造212の水素イオン注入206のみを加熱し、シリコン基板200を分離させ、所望のSOIウエハを作り出す。フラッシュアニールによる選択的な加熱は、SOIウエハのバルクを実質上加熱しないためSOIウエハを破損せず、生産が可能な時間を増加させる。【選択図】図2D
請求項（抜粋）：
SOI構造を形成するための方法であって、
シリコン基板及び支持基板を提供し、
不純物を前記シリコン基板の第1の深さに注入し、
前記シリコン基板を前記支持基板に結合し、
前記支持基板を放射エネルギーで概ね瞬間的にフラッシュし、その放射エネルギーが前記支持基板の表面に衝当し、前記支持基板を通過して、前記シリコン基板の第1の深さをアニーリング温度まで加熱するように構成されることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/26
H01L27/12 B
, H01L21/26 F
