成膜方法及びプラズマ成膜装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-293044
公開番号（公開出願番号）：特開2006-148074
出願日： 2005年10月05日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】被処理体の凹部の開口にオーバハング部分を生ずることなく、この凹部の側壁に均一に金属膜を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた処理容器14内でプラズマにより金属ターゲット56をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台20上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで凹部2が形成されている被処理体に金属膜6、70を堆積させるようにした成膜方法において、載置台に、金属イオンに対する引き込みによる成膜とプラズマガスによるスパッタエッチングとが同時に生ずるような大きさのバイアス電力を加えて、凹部の側壁に金属膜を堆積させる成膜工程を行う。これにより、凹部の開口にオーバハング部分を生ずることなく、この凹部の側壁に均一に金属膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空引き可能になされた処理容器内でプラズマにより金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを発生させ、前記金属イオンを前記処理容器内の載置台上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで凹部が形成されている前記被処理体に金属膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記載置台に、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜とプラズマガスによるスパッタエッチングとが同時に生ずるような大きさのバイアス電力を加えて、前記凹部の側壁に金属膜を堆積させる成膜工程を行うようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/320 , C23C 14/34 , H01L 21/285 , H01L 23/52

FI (4件)：

H01L21/88 B , C23C14/34 T , H01L21/285 S , H01L21/88 R

Fターム (44件)：

4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA08 , 4K029BA16 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029CA13 , 4K029DA10 , 4K029DC27 , 4K029EA06 , 4K029EA09 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD38 , 4M104DD39 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104HH15 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM01 , 5F033MM08 , 5F033MM10 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP17 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33

引用特許：

出願人引用 (1件)

研磨スラリー及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-259279 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (7件)

スパッタリング及び再スパッタリングのための自己イオン化及び誘導性結合プラズマ
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-557025 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-096966 出願人：ソニー株式会社
シーケンシャルな堆積及びエッチングを備えたイオン化PVD
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-588618 出願人：東京エレクトロン株式会社, トーキョーエレクトロンアリゾナインコーポレイテッド

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