特許
J-GLOBAL ID：200903086271025103

基板の処理方法及び処理装置

発明者：
永嶋 慎二

永嶋 慎二 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 康司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193671
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023883
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 基板の表面に密着性の良い層間絶縁膜などを均一に形成でき,また処理液の使用量も少なくできる方法と装置を提供する。【解決手段】 基板Wの表面に第1の処理液を拡散させ,基板の表面を所定の基板温度に調整した後,基板の表面に第2の処理液を拡散させる。基板の表面を所定の基板温度にした状態で,第2の処理液を拡散させることができる。
請求項（抜粋）：
基板の処理方法であって,基板の表面に第1の処理液を拡散させる工程と,前記第1の処理液を拡散させた基板の表面を所定の基板温度に調整する工程と,前記所定の温度に調節された基板の表面に第2の処理液を拡散させる工程とを有することを特徴とする,基板の処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502
FI (3件)：
H01L 21/30 564 D ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/30 564 C
Fターム (8件)：
2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025CC06 ,  2H025DA35 ,  5F046HA02 ,  5F046JA02 ,  5F046JA04 ,  5F046JA24
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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