微細パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：籾井孝文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-046968
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211029
出願日： 2007年02月27日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】低温・低圧・短時間の単一条件下で、高アスペクト比でナノメートルからマイクロメートルオーダーの微細パターンを一括形成する方法を提供すること。【解決手段】本発明の微細パターン形成方法は、ポリシランとシリコーン化合物とを含むパターニング材料を基板に塗布する工程と;所定の微細パターンが形成されたモールドを、該塗布されたパターニング材料に圧接する工程と;該モールドと該パターニング材料とを圧接した状態で、該基板側からエネルギー線を照射する工程と;該モールドを離型する工程と;該パターニング材料に、該モールドが圧接されていた側からエネルギー線を照射する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ポリシランとシリコーン化合物とを含むパターニング材料を基板に塗布する工程と、所定の微細パターンが形成されたモールドを、該塗布されたパターニング材料に圧接する工程と、該モールドと該パターニング材料とを圧接した状態で、該基板側からエネルギー線を照射する工程と、該モールドを離型する工程と、該パターニング材料に、該モールドが圧接されていた側からエネルギー線を照射する工程とを含む微細パターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , B29C 39/10 , B29C 59/02

FI (3件)：

H01L21/30 502D , B29C39/10 , B29C59/02 Z

Fターム (30件)：

4F204AA33 , 4F204AD19 , 4F204AG01 , 4F204AG05 , 4F204AM26 , 4F204EA03 , 4F204EB01 , 4F204EB12 , 4F204EB29 , 4F204EF32 , 4F204EK13 , 4F204EK18 , 4F204EK24 , 4F204EW34 , 4F209AA33 , 4F209AA44 , 4F209AB01 , 4F209AF01 , 4F209AG03 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209AH73 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PC01 , 4F209PC05 , 4F209PN09 , 4F209PQ11 , 4F209PW06 , 5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (7件)

光部品用材料およびその製造方法、並びに光部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-378825 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社カネカ
転写層にパターンを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-019953 出願人：旭硝子株式会社
光インプリント方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-366972 出願人：株式会社パルサ, リソテックジャパン株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Direct nanoimprint of inorganic-organic hybrid glass

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