特許
J-GLOBAL ID:200903086358601461

微細パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 籾井 孝文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-046968
公開番号(公開出願番号):特開2008-211029
出願日: 2007年02月27日
公開日(公表日): 2008年09月11日
要約:
【課題】低温・低圧・短時間の単一条件下で、高アスペクト比でナノメートルからマイクロメートルオーダーの微細パターンを一括形成する方法を提供すること。【解決手段】本発明の微細パターン形成方法は、ポリシランとシリコーン化合物とを含むパターニング材料を基板に塗布する工程と;所定の微細パターンが形成されたモールドを、該塗布されたパターニング材料に圧接する工程と;該モールドと該パターニング材料とを圧接した状態で、該基板側からエネルギー線を照射する工程と;該モールドを離型する工程と;該パターニング材料に、該モールドが圧接されていた側からエネルギー線を照射する工程とを含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ポリシランとシリコーン化合物とを含むパターニング材料を基板に塗布する工程と、 所定の微細パターンが形成されたモールドを、該塗布されたパターニング材料に圧接する工程と、 該モールドと該パターニング材料とを圧接した状態で、該基板側からエネルギー線を照射する工程と、 該モールドを離型する工程と、 該パターニング材料に、該モールドが圧接されていた側からエネルギー線を照射する工程とを含む 微細パターン形成方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  B29C 39/10 ,  B29C 59/02
FI (3件):
H01L21/30 502D ,  B29C39/10 ,  B29C59/02 Z
Fターム (30件):
4F204AA33 ,  4F204AD19 ,  4F204AG01 ,  4F204AG05 ,  4F204AM26 ,  4F204EA03 ,  4F204EB01 ,  4F204EB12 ,  4F204EB29 ,  4F204EF32 ,  4F204EK13 ,  4F204EK18 ,  4F204EK24 ,  4F204EW34 ,  4F209AA33 ,  4F209AA44 ,  4F209AB01 ,  4F209AF01 ,  4F209AG03 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  4F209PW06 ,  5F046AA28
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献:
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