特許
J-GLOBAL ID：200903086429481020

半導体装置の部品間接合方法

発明者：
川住 太樹

川住 太樹 について

, 
池田 良成

池田 良成 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-180770
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010703
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】半導体チップに絶縁基板,ヒートスプレッダなどの部品を金属ナノ粒子を含む金属ペーストを用いて接合させる際に、接合面全域で未接合部ができない手段を提供する。【解決手段】金属ナノ粒子,金属ナノ粒子の常温での凝集を抑制する有機分散材,加熱により有機分散材と反応する分散材捕捉材および前記分散材と分散材捕捉材との反応物質を捕捉して揮散させる揮発性有機成分を含む金属ペースト5を用いて半導体装置の絶縁基板2/半導体チップ3/ヒートスプレッダ4の部品間を導電,伝熱接合する接合方法において、接合部品の接合面域に前記の金属ペーストを塗布した状態で、接合層5の層厚に対応する線径の金属コア6を分散配置して重ね合わせた上で、続く加熱工程を経て部品間を接合する。これにより、金属コア6をスペーサとして部品間に前記揮発性有機成分の熱分解ガスを逃がす蒸散経路を確保して、接合層内に未接合部が生じるのを防止できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属ナノ粒子,金属ナノ粒子の常温での凝集を抑制する有機分散材,加熱により有機分散材と反応する分散材捕捉材および前記分散材と分散材捕捉材との反応物質を捕捉して揮散させる揮発性有機成分を含む金属ペーストを用いた半導体装置の部品間接合方法であって、表面が金属母材である被接合部品の接合面域に前記金属ペーストを塗布して被接合部品を重ね合わせた状態で加熱し、この加熱により金属ナノ粒子を低温焼結させて部品間を導電,伝熱接合するようにした接合方法において、 前記金属ペーストを被接合部品の接合面に塗布した状態で、部品の対向面間に金属コア材を分散介挿して重ね合わせ、続く加熱工程を経て接合することを特徴とする半導体装置の部品間接合方法。
IPC (1件)：
H01L 21/52
FI (1件)：
H01L21/52 B
Fターム (6件)：
5F047AA13 ,  5F047BA14 ,  5F047BA15 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16 ,  5F047BB18
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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