特許
J-GLOBAL ID:200903086498168628
新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-244262
公開番号(公開出願番号):特開2007-145804
出願日: 2006年09月08日
公開日(公表日): 2007年06月14日
要約:
【解決手段】下記一般式(1a)で示されるスルホン酸塩。CF3-CH(OH)-CF2SO3-M+ (1a)(式中、M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。)【効果】本発明によれば、分子内に極性基であるヒドロキシル基を有しているため、水素結合等により酸拡散長を適度に抑えることができ、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはArF液浸露光の際にウエハー上に残る水の影響も受けにくく、欠陥を抑えることができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1a)で示されるスルホン酸塩。
CF3-CH(OH)-CF2SO3-M+ (1a)
(式中、M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。)
IPC (8件):
C07C 309/08
, G03F 7/004
, G03F 7/039
, G03F 7/075
, H01L 21/027
, C07C 381/12
, C07C 25/00
, C07D 207/48
FI (9件):
C07C309/08
, G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, G03F7/075 501
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
, C07C381/12
, C07C25/00
, C07D207/48
Fターム (25件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BF07
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB10
, 2H025CB14
, 2H025CB32
, 2H025CB41
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 4C069AC30
, 4C069BC12
, 4H006AA01
, 4H006AB81
, 4H006BN10
, 4H006TC36
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (1件)
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