特許
J-GLOBAL ID:200903086498168628

新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-244262
公開番号(公開出願番号):特開2007-145804
出願日: 2006年09月08日
公開日(公表日): 2007年06月14日
要約:
【解決手段】下記一般式(1a)で示されるスルホン酸塩。CF3-CH(OH)-CF2SO3-M+ (1a)(式中、M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。)【効果】本発明によれば、分子内に極性基であるヒドロキシル基を有しているため、水素結合等により酸拡散長を適度に抑えることができ、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはArF液浸露光の際にウエハー上に残る水の影響も受けにくく、欠陥を抑えることができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1a)で示されるスルホン酸塩。 CF3-CH(OH)-CF2SO3-M+ (1a) (式中、M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。)
IPC (8件):
C07C 309/08 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/027 ,  C07C 381/12 ,  C07C 25/00 ,  C07D 207/48
FI (9件):
C07C309/08 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 501 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C07C381/12 ,  C07C25/00 ,  C07D207/48
Fターム (25件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BF07 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB32 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  4C069AC30 ,  4C069BC12 ,  4H006AA01 ,  4H006AB81 ,  4H006BN10 ,  4H006TC36
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (1件)

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