特許

J-GLOBAL ID：200903086526837999

Si基板上への半導体薄膜形成方法及びその構造物

発明者： 赤羽 浩一 ,  山本 直克 ,  牛頭 信一郎 ,  上田 章雄 ,  大谷 直毅
出願人/特許権者： 独立行政法人情報通信研究機構
代理人 (1件)： 新保 斉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-067839
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253414
出願日： 2005年03月10日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

【課題】 簡易な工程でありながらも、比較的安価なSi基板上に高品質な半導体薄膜を形成する方法と、その方法によって得られる半導体薄膜構造物を提供すること。【解決手段】 Si基板上に半導体を結晶成長させて薄膜を形成する方法であって、対象の半導体を結晶成長させるSi基板の上面を、微小角度傾斜させた状態で、結晶成長装置内にSi基板をセッティングし、そのSi基板の傾斜角度は、対象半導体結晶の底面に相応する結晶軸の格子定数のSi基板上面に対する正射影が、Si基板の上面に相応する結晶軸の格子定数と略一致する角度とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

Si基板上に半導体を結晶成長させて薄膜を形成する方法であって、 対象の半導体を結晶成長させるSi基板の上面を、微小角度傾斜させた状態で、結晶成長装置内にSi基板をセッティングし、 そのSi基板の傾斜角度は、 対象半導体結晶の底面に相応する結晶軸の格子定数のSi基板上面に対する正射影が、Si基板の上面に相応する結晶軸の格子定数と略一致する角度とする ことを特徴とするSi基板上への半導体薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L21/203 M ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 A

Fターム (27件)：

5F041CA34 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB13 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103BB35 ,  5F103BB41 ,  5F103BB55 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH08 ,  5F103LL03 ,  5F103LL04 ,  5F103RR06 ,  5F103RR08

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体薄膜素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357803   出願人：北陸電気工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-344555   出願人：富士通株式会社
• 半導体層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-354563   出願人：理化学研究所, 田中悟, 武内道一
• 化合物半導体薄膜結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-326631   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-186284
  
• 半導体発光素子層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-159296   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-215388