特許
J-GLOBAL ID：200903086543445808

多層配線基板及びその製造方法

発明者：
西本 昭彦

西本 昭彦 について

, 
笹森 理一

笹森 理一 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264559
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103165
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】導体配線層と、バイアホール導体との密着強度が高くかつ接触抵抗も低い、高密度配線が可能な多層配線基板とその簡易な製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも有機樹脂を含む複数の絶縁層2を積層してなる絶縁基板の内部に、金属粉末5を充填してなるバイアホール導体4と、バイアホール導体4と接続する金属箔からなる導体配線層3が形成されてなり、導体配線層3とバイアホール導体4との接続部において、導体配線層3をバイアホール導体4のホール径よりも狭い線幅をもってバイアホール導体4中に埋設し、さらには、導体配線層3とバイアホール導体4中の金属粉末5との接触部にネック部6を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも有機樹脂を含む複数の絶縁層を積層してなる絶縁基板の内部に、金属粉末を充填してなるバイアホール導体と、該バイアホール導体と接続する導体配線層が形成されてなり、前記導体配線層と前記バイアホール導体との接続部において、前記導体配線層を前記バイアホール導体のホール径と同じか、あるいはそれよりも狭い線幅をもって前記バイアホール導体中に埋設してなることを特徴とする多層配線基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/20
FI (4件)：
H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/20 A ,  H01L 23/12 N
引用特許：
審査官引用 (10件)
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