特許
J-GLOBAL ID：200903086633582839

ドライエッチング方法およびドライエッチング装置

発明者：
北端 匡樹

北端 匡樹 について

, 
今井 伸一

今井 伸一 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (1件)： 福井 豊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-178873
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049382
出願日： 2008年07月09日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
【課題】精度良くエッチングレートを算出でき、所定のエッチング量やエッチング深さにエッチング処理を行う。【解決手段】ドライエッチング装置において、ガス導入部5からプロセスガスの導入および排気手段11により所定圧力に維持した真空処理室1内で上下の電極2、4に高周波電源7、10より高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上の被処理物3をエッチング処理する。このエッチング処理時にプラズマ発光波長の発光強度を不活性ガスの発光強度で除算した発光強度比を含む装置パラメータからエッチングレート予測式を作成する。エッチングレート予測式を用いてエッチングレート予測値を算出する。エッチングレート予測値により適切なエッチング量とするエッチング処理時間を算出し、これにより制御することで微細デバイスの製造ばらつきを低減させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所定の雰囲気および圧力に維持された真空処理室内で、前記真空処理室内に設置した被処理物をプラズマによりエッチング処理するドライエッチング方法において、 複数回のエッチング処理に対してそれぞれ取得された、エッチング反応中に前記プラズマから放射される光の特定波長のスペクトル強度を前記プラズマから放射される特定の不活性ガスの波長のスペクトル強度で除算した発光強度比を装置パラメータの1つとして含む複数の装置パラメータおよびエッチングレートに基づいて、前記複数の装置パラメータとエッチングレートとの対応関係を示すエッチングレート予測式を求めるステップと、 前記エッチングレート予測式を用いてエッチングレート予測値を算出するステップと、 前記算出されたエッチングレート予測値に基づいて装置異常の有無を判定するステップと、 を有することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (1件)：
H01L21/302 103
Fターム (7件)：
5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004CA08 ,  5F004CB02 ,  5F004CB09 ,  5F004CB16 ,  5F004DB03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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