特許
J-GLOBAL ID：200903087253016888

半導体装置及びその製造方法

発明者：
粟野 祐二

粟野 祐二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-136708
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332504
出願日： 2002年05月13日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】 大幅なコストアップを招くことなく、良好な放熱特性を実現し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上に形成された絶縁膜30a〜30fと、絶縁膜に埋め込まれた熱伝導体42とを有し、熱伝導体は、炭素元素から構成される線状構造体40より成る。熱伝導体の材料として、極めて熱伝導率が高い材料である炭素元素から構成される線状構造体が用いられているため、トランジスタ24a、24b等の半導体素子等において発生する熱を効果的に放熱することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に埋め込まれた熱伝導体とを有し、前記熱伝導体は、炭素元素から構成される線状構造体より成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/38
FI (6件)：
H01L 21/205 ,  H01L 23/38 ,  H01L 23/36 D ,  H01L 23/36 Z ,  H01L 23/36 M ,  H01L 21/90 Z
Fターム (14件)：
5F033QQ88 ,  5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F036BB05 ,  5F036BB21 ,  5F045AA03 ,  5F045AB07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045AF14 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (11件)
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