特許
J-GLOBAL ID：200903087397657241

半導体装置

発明者：
堀田 幸司

堀田 幸司 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-333958
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156288
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 p型ボディ領域とn型低濃度ドリフト領域との間の空乏層のためにコレクタ電極側から注入される少数キャリア(正孔)が流れる電流路が狭くなり、抵抗(JFET抵抗)成分が大きくなってしまう。【解決手段】 IGBT100のn型低濃度ドリフト領域6にゲート絶縁膜12を介して隣接するゲート電極14の第1部位30と、p型ボディ領域8にゲート絶縁膜12を介して隣接するゲート電極14の第2部位32とは、その仕事関数が異なっている。したがって、IGBT100の導通時に、n型低濃度ドリフト領域6表面に蓄積される多数キャリアの量が多くなる。そのため、n型低濃度ドリフト領域6とp型ボディ領域8との接合部の空乏層が、n型低濃度ドリフト領域6側へ延びるのを抑えることが可能であるので、JFET抵抗を減らすことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板内に形成された第1の第1導電型不純物拡散領域と、前記第1の第1導電型不純物拡散領域表面に形成された第2導電型不純物拡散領域と、前記第2導電型不純物拡散領域表面に形成された第2の第1導電型不純物拡散領域と、ゲート絶縁膜を介して、少なくとも前記第1の第1導電型不純物拡散領域と前記第2導電型不純物拡散領域に隣接するゲート電極と、を備え、前記ゲート電極の前記第1の第1導電型不純物拡散領域に隣接する第1部位の材料が有する第1部位仕事関数と、前記ゲート電極の前記第2導電型不純物拡散領域に隣接する第2部位の材料が有する第2部位仕事関数とが各々異なっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/43
FI (3件)：
H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 653 A
Fターム (7件)：
4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD55 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18
引用特許：
出願人引用 (9件)
  • 特開昭62-047163
  • 特開昭64-046980
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-012664   出願人：株式会社東芝
全件表示
審査官引用 (9件)
  • 特開昭62-047163
  • 特開昭64-046980
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-012664   出願人：株式会社東芝
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM