不揮発性半導体メモリ装置と半導体装置、及び不揮発性半導体メモリ装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-123914
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059872
出願日： 2006年04月27日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】トンネル絶縁膜を欠陥が生成されにくい高品質な絶縁膜にすることができ、且つリーク電流の低減をはかることができ、素子特性及び信頼性の向上に寄与する。【解決手段】第1導電型の半導体基板11の主面上に選択的に形成されたトンネル絶縁膜13と、トンネル絶縁膜13上に形成されたフローティングゲート電極14と、フローティングゲート電極14上に形成されたインターポリ絶縁膜15と、インターポリ絶縁膜15上に形成されたコントロールゲート電極16と、基板11の主面に形成された第2導電型のソース・ドレイン領域12とを備えた不揮発性半導体メモリ装置であって、トンネル絶縁膜13は、シリコン窒化膜13aをシリコン酸化膜13b,13cで挟んで形成された3層構造であり、シリコン窒化膜13aは面内方向に連続する膜であり、三配位の窒素結合を有し、且つ窒素の第二近接原子の少なくとも1つが窒素である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の主面上に選択的に形成された第1のゲート絶縁膜と、この第1のゲート絶縁膜上に形成されたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極上に形成された第2のゲート絶縁膜と、この第2のゲート絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極と、前記基板の主面に形成された第2導電型のソース・ドレイン領域と、を具備してなり、前記第1のゲート絶縁膜は、少なくともシリコン及び窒素を含む第1の絶縁膜を、少なくともシリコン及び酸素を含む第2,第3の絶縁膜で挟んだ3層構造であり、前記第1の絶縁膜は面内方向に連続する膜であり、三配位の窒素結合を有し、且つ窒素の第二近接原子の少なくとも1つが窒素であることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L27/08 321D

Fターム (44件)：

5F048AA07 , 5F048AB04 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB11 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA18 , 5F048DA23 , 5F048DA25 , 5F083EP02 , 5F083EP17 , 5F083EP23 , 5F083EP43 , 5F083EP55 , 5F083GA06 , 5F083GA22 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F083PR36 , 5F101BA01 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA54 , 5F101BB05 , 5F101BB17 , 5F101BD02 , 5F101BD35 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH06 , 5F101BH09

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平1-307272号公報

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-250417 出願人：株式会社東芝
不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-034246 出願人：株式会社GENUSION
フローティングゲート電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-342967 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチェンゲゼルシャフト

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引用文献：

審査官引用 (1件)

次世代極薄ゲートシリコン酸窒化膜の実現

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