特許
J-GLOBAL ID：200903087721653882

パターン化されたウエハ上のX線反射率測定

発明者：
ローゼンクウエイグ、アラン

ローゼンクウエイグ、アラン について

, 
オプサル、ジョン

オプサル、ジョン について


出願人/特許権者：
サーマ-ウェイブ・インク

サーマ-ウェイブ・インク について


代理人 (1件)： 山崎 行造 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-513799
公開番号（公開出願番号）：特表2003-529047
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2003年09月30日
要約：
【要約】主発明の教示は、XRRとRXRRシステムの新しい実用性を導く。特に、そのようなシステムが、その形状が測定点よりも小さいパターンかウエハ上の種々の薄膜(どちらも誘電性で、不透明な金属膜)の厚さを測定するために用いられ得ることは、最初に認識されていた。概して、本発明の一面は、XRR及びRXRRシステムがテストウエハ上はだけでなくパターン化ウエハ上でも同様に用いられ得るという認識である。XRRを用いてパターン化半導体ウエハの膜厚を測定するという本発明の提案は、測定X線反射曲線がパターン構造よりもむしろ層の厚さに主に帰され得るという認識を信頼する。
請求項（抜粋）：
パターン化半導体ウエハの薄膜層の特性を評価する方法であって、 X線のプローブビームを生成するステップと、 前記プローブビームのスポットサイズが前記パターンウエハの前記表面上のパターンの形状に比例して大きいように、前記パターンウエハの表面上に前記プローブビームを導くステップと、 反射データを生成するために、前記パターンウエハから反射される種々のX線の強度を測定するステップと、 前記薄膜層の特性を決定するために、前記反射データを解析するステップと、 を有することを特徴とする方法。
Fターム (10件)：
2G001AA01 ,  2G001BA14 ,  2G001CA01 ,  2G001DA01 ,  2G001EA01 ,  2G001GA13 ,  2G001HA01 ,  2G001KA11 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (4件)
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