特許
J-GLOBAL ID：200903087747474013

PZT系圧電結晶膜

発明者：
西田 明生

西田 明生 について

, 
橋本 和生

橋本 和生 について

, 
橋本 智仙

橋本 智仙 について


出願人/特許権者：
宇部興産株式会社

宇部興産株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097555
公開番号（公開出願番号）：特開2000-290016
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
要約：
【要約】【課題】 表面粗さ、耐電圧に優れ、コンデンサ、アクチュエータ等の電子部品に使用できるPZT系結晶膜を提供する。【解決手段】 基板上に水熱合成法により形成したPb(ZrxTi1-x)O3(ただし、0≦x≦1)からなるPZT系圧電結晶膜において、Pbに対して5原子%以下のNbを含有することを特徴とするPZT系圧電結晶膜に関する。
請求項（抜粋）：
基板上に水熱合成法により形成したPb(ZrxTi1-x)O3(ただし、0≦x≦1)からなるPZT系圧電結晶膜において、Pbに対して5原子%以下のNbを含有することを特徴とするPZT系圧電結晶膜。
IPC (3件)：
C01G 33/00 ,  B01D 9/02 612 ,  H01L 41/187
FI (3件)：
C01G 33/00 A ,  B01D 9/02 612 ,  H01L 41/18 101 D
Fターム (9件)：
4G048AA03 ,  4G048AA05 ,  4G048AB02 ,  4G048AB04 ,  4G048AB05 ,  4G048AC01 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 強誘電体薄膜の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-042030   出願人：オリンパス光学工業株式会社
  • 変位素子及びその作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-361744   出願人：株式会社リコー
  • 圧電セラミックの製法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-092507   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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