特許
J-GLOBAL ID：200903087755884883

処理装置及びこのクリーニング方法

発明者：
周 保華

周 保華 について

, 
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-192991
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021860
出願日： 2006年07月13日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】プラズマによるスパッタ効果等で内壁に付着している不要な薄膜を除去するようにし、後工程におけるプラズマ成膜時にパーティクルが発生することを大幅に抑制することが可能な処理装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】縦型の処理容器24と、複数枚の被処理体Wを処理容器内へ収容する保持手段32と、容器側壁に沿って設けられたプラズマ室70と、プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するプラズマ用ガス供給手段48と、プラズマ室にプラズマを立てるためのプラズマ形成手段72と、加熱手段100とを有し、プラズマにより発生した活性種によるプラズマ成膜処理とプラズマを用いない加熱による成膜処理とを選択的に行うことができる処理装置をクリーニングする方法において、プラズマ用ガス供給手段からプラズマ化が可能なクリーニングガスを供給しつつ前記プラズマを発生させてクリーニング処理を行うようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器と、 被処理体を複数枚保持して前記処理容器内へ収容する保持手段と、 前記処理容器の側壁にその長さ方向に沿って設けられてプラズマを発生するためのプラズマ室と、 前記プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するプラズマ用ガス供給手段と、 前記プラズマ室にプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、 前記処理容器の周囲を囲むようにして設けた加熱手段とを有し、前記被処理体に対してプラズマにより発生した活性種によるプラズマ成膜処理とプラズマを用いない加熱による成膜処理とを選択的に行うことができる処理装置をクリーニングするクリーニング方法において、 前記プラズマ用ガス供給手段からプラズマ化が可能なクリーニングガスを供給しつつ前記プラズマを発生させてクリーニング処理を行うようにしたことを特徴とする処理装置のクリーニング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/44 ,  B08B 7/00
FI (5件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/302 101H ,  H01L21/31 E ,  C23C16/44 J ,  B08B7/00
Fターム (34件)：
3B116AA47 ,  3B116AB51 ,  3B116BC01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA16 ,  4K030KA04 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA15 ,  5F004BA19 ,  5F004BA20 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EE19 ,  5F045HA13
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-405043   出願人：株式会社日立国際電気
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-141045   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 減圧CVD装置のクリーニング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-180948   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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