特許
J-GLOBAL ID:200903087795502690

基板処理方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉谷 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-321805
公開番号(公開出願番号):特開2000-012500
出願日: 1998年11月12日
公開日(公表日): 2000年01月14日
要約:
【要約】【課題】 洗浄液の活性度を高めることによって、洗浄能力を大幅に向上させることができる。【解決手段】 オゾンを溶解した洗浄液Sをノズル7から基板Wに供給して洗浄処理を施す基板処理方法において、基板Wに供給された洗浄液Sに対してUV照射部31から紫外線を照射する。このときオゾンを含む洗浄液Sは紫外線が照射されたことによって“O3 → O(3p)+ O2 ”のような励起状態をとり、低エネルギーで酸素ラジカルを得ることができる。したがって、酸素ラジカルを容易に発生させることができ、洗浄液Sの活性度を高めることができて、洗浄能力を大幅に向上させることができる。
請求項(抜粋):
洗浄液を基板に供給して洗浄処理を施す基板処理方法において、基板に供給されたオゾンを溶解した洗浄液に対して紫外線を照射するようにしたことを特徴とする基板処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 651 ,  B08B 3/02
FI (4件):
H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 651 Z ,  B08B 3/02 B
引用特許:
審査官引用 (12件)
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