特許
J-GLOBAL ID：200903087845726217

半導体装置及びその製造方法並びに成膜方法

発明者：
南方 浩志

南方 浩志 について

, 
山口 正臣

山口 正臣 について

, 
杉山 芳弘

杉山 芳弘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-035152
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247474
出願日： 2003年02月13日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】High-k絶縁膜をゲート絶縁膜として用いた場合に、ゲート電極に添加したドーパント不純物のチャネル領域への拡散を抑制し、トランジスタの性能の劣化を抑制しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機金属材料と、シリコンと窒素とを構成元素として含む窒素源材料とを原料とする化学気相成長法によりシリコン基板10上に形成された窒素含有高誘電率膜14を含むゲート絶縁膜15と、ゲート絶縁膜15上に形成されたゲート電極16とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、窒素が添加された高誘電率膜よりなる窒素含有高誘電率膜と、窒素が添加されていない高誘電率膜よりなる窒素非含有高誘電率膜とを含むゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L29/78 ,  C23C16/40 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (5件)：
H01L29/78 301G ,  C23C16/40 ,  H01L21/283 C ,  H01L21/316 X ,  H01L29/58 G
Fターム (75件)：
4K030AA11 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE20 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  4M104HH14 ,  5F058BA01 ,  5F058BA05 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF51 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA28 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE03 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF16 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG32 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CE10 ,  5F140CF07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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