半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-346420
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159796
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】銅配線間の短絡を防止することができる半導体装置を提供する。【解決手段】第3層間膜17およびこの第3層間膜17上に突出するCu配線24は、被覆層31によって被覆されている。そして、Cu配線24と被覆層31との間には、Cuの拡散を防止するバリア性を有する金属材料からなる表面バリア膜29が介在されている。これにより、Cu配線24から被覆層31へのCuの拡散を防止することができる。そのため、第3層間膜17上に形成された複数のCu配線24間における短絡を防止することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁膜と、前記絶縁膜上に突出して形成された銅配線と、前記絶縁膜および前記銅配線を被覆する被覆層と、前記銅配線と前記被覆層との間に介在され、銅の拡散を防止するバリア性を有する金属材料からなるバリア膜とを含む、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/60

FI (4件)：

H01L21/88 M , H01L21/88 R , H01L21/90 S , H01L21/60 301P

Fターム (29件)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH33 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033MM05 , 5F033MM11 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033TT03 , 5F033VV07 , 5F033XX12 , 5F033XX28 , 5F044EE04 , 5F044EE06 , 5F044EE08 , 5F044EE13 , 5F044EE20

引用特許：

出願人引用 (2件)

銅電極集積回路のためのワイヤ・ボンデイング構造及びその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-085103 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
集積回路およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-142684 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-386033 出願人：富士通株式会社
半導体ウェハ及び半導体チップ並びに半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-233055 出願人：日立マクセル株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-098939 出願人：次世代半導体材料技術研究組合

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