半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森下賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-307807
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146798
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】多孔質絶縁膜の導入により配線間容量を低減しつつ、多孔質絶縁膜の導入にともなう密着不良や絶縁膜の機械的特性低下を抑制する。【解決手段】半導体基板上に多孔質MSQ膜14を設け、この上に非多孔質MSQ膜17を形成する。多孔質MSQ膜14および非多孔質MSQ膜17を、Si、O、Cを含む共通の膜材料により構成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成された、多孔質膜およびこれに接する非多孔質膜からなる絶縁膜とを有し、前記多孔質膜および前記非多孔質膜が、実質的に同一組成の膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/90 J , H01L21/90 M

Fターム (50件)：

5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH22 , 5F033HH23 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ22 , 5F033JJ23 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ35 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT03 , 5F033WW01 , 5F033XX12 , 5F033XX33

引用特許：

審査官引用 (9件)

低誘電率絶縁体膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-157069 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-043242 出願人：富士通株式会社
特開昭64-041244

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