特許
J-GLOBAL ID:200903087929858542
半導体装置、半導体チップ搭載用基板、それらの製造法、接着剤、および、両面接着フィルム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三品 岩男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-131897
公開番号(公開出願番号):特開2003-060127
出願日: 1997年10月08日
公開日(公表日): 2003年02月28日
要約:
【要約】【課題】本発明は、半導体装置における実装後の耐温度サイクル性を向上するとともに、耐吸湿リフロー性を向上する。【解決手段】有機系支持基板に半導体チップを搭載する際に用いられる接着材であって、動的粘弾性測定装置で測定される25°Cの貯蔵弾性率が10〜2000MPaかつ260°Cでの貯蔵弾性率が3〜50MPaである接着剤と、それを用いた両面接着フィルム、半導体装置、半導体チップ搭載基板、およびそれらの製造方法とを提供する。
請求項(抜粋):
有機系支持基板に接着部材を介して半導体チップが搭載された半導体装置であって、前記有機系支持基板の、半導体チップが搭載される側、および、半導体チップが搭載される側の反対側の少なくともいずれかの側には、所定の配線が形成されており、前記有機系支持基板の半導体チップが搭載される側の反対側には外部接続用端子がエリアアレイ状に形成されており、前記所定の配線は半導体チップ端子および前記外部接続用端子と接続されており、少なくとも前記半導体チップ端子と所定の配線との接続部が樹脂封止されており、前記接着部材は接着剤層を備えるもので、前記接着剤の動的粘弾性測定装置で測定される25°Cの貯蔵弾性率が10〜2000MPaかつ260°Cでの貯蔵弾性率が3〜50MPaであることを特徴とする半導体装置。
IPC (9件):
H01L 23/12 501
, C09J 5/04
, C09J 7/02
, C09J133/14
, C09J161/06
, C09J163/00
, C09J171/10
, C09J201/00
, H01L 21/52
FI (9件):
H01L 23/12 501 W
, C09J 5/04
, C09J 7/02 Z
, C09J133/14
, C09J161/06
, C09J163/00
, C09J171/10
, C09J201/00
, H01L 21/52 E
Fターム (35件):
4J004AA10
, 4J004AA12
, 4J004AA13
, 4J004CA03
, 4J004CA06
, 4J004CB03
, 4J004CC02
, 4J004EA05
, 4J004FA05
, 4J004FA08
, 4J040DF041
, 4J040DF051
, 4J040DF061
, 4J040EB032
, 4J040EC001
, 4J040EE062
, 4J040EG002
, 4J040GA11
, 4J040HA116
, 4J040HA306
, 4J040HB22
, 4J040HB38
, 4J040HC01
, 4J040HD05
, 4J040HD39
, 4J040JA09
, 4J040JB02
, 4J040KA16
, 4J040KA42
, 4J040LA02
, 4J040PA23
, 5F047AA17
, 5F047BA21
, 5F047BB03
, 5F047BB16
引用特許:
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