特許
J-GLOBAL ID：200903087952072599

金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び、電子デバイス

発明者：
宮本 ゆき

宮本 ゆき について

, 
土屋 哲男

土屋 哲男 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について

, 
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-161753
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028381
出願日： 2007年06月19日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】十分に結晶配向度の高い金属酸化物膜を、簡易、低コスト、かつ、基材及び金属酸化物膜に損傷を殆ど与えずに得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び電子デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】基材10上に(111)結晶面を有する金属膜14を形成する工程と、金属膜14の(111)結晶面に金属酸化物膜20を形成する工程と、金属膜14の(111)結晶面に形成された金属酸化物膜20の温度を25〜600°Cに維持し、金属酸化物膜20に対して紫外線を照射する工程と、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基材上に、(111)結晶面を有する金属膜を形成する工程と、 前記金属膜の(111)結晶面上に金属酸化物膜を直接形成する工程と、 前記金属酸化物膜の温度を25〜600°Cに維持し、前記金属酸化物膜に対して紫外線を照射する工程と、を備える金属酸化物膜の製造方法。
IPC (7件)：
H01G 4/33 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01G 4/12 ,  C01G 23/00 ,  C30B 29/32
FI (7件)：
H01G4/06 102 ,  H01L21/316 B ,  H01L27/10 444C ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/12 400 ,  C01G23/00 C ,  C30B29/32 C
Fターム (60件)：
4G047CA07 ,  4G047CB05 ,  4G047CB08 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G077AA02 ,  4G077AB08 ,  4G077BC42 ,  4G077CA02 ,  4G077CA09 ,  4G077EF02 ,  4G077EJ04 ,  4G077HA05 ,  4G077JA01 ,  4G077JA03 ,  4G077JB01 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029EA08 ,  4K029GA00 ,  5E001AB06 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB01 ,  5E082BB01 ,  5E082EE05 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082FG54 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083HA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (6件)
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