半導体モジュール

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-224486
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071597
出願日： 2002年08月01日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】三次元実装された半導体素子の放熱経路を独立させ、低抵抗化する。【解決手段】一方の面に配線と回路部品或いは第1の半導体素子が搭載され、他方の面にキャビティが形成された第1の配線基板の前記キャビティ内に第2の半導体素子或いは回路部品が収容される半導体モジュールにおいて、前記第2の半導体素子は配線を有する第2の配線基板に搭載され、前記第1の配線基板と第2の配線基板は電気的、熱的に接合され、第2の半導体素子から発生した熱をモジュール外部に放熱する放熱経路を前記第2の配線基板に形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一方の面に配線と回路部品或いは第1の半導体素子が搭載され、他方の面にキャビティが形成された第1の配線基板の前記キャビティ内に第2の半導体素子或いは回路部品が収容される半導体モジュールにおいて、前記第2の半導体素子は配線を有する第2の配線基板に搭載され、前記第1の配線基板と第2の配線基板は電気的、熱的に接合され、第2の半導体素子から発生した熱をモジュール外部に放熱する放熱経路を前記第2の配線基板に形成したことを特徴とする半導体モジュール。

IPC (6件)：

H01L25/04 , H01L23/36 , H01L23/40 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18

FI (4件)：

H01L25/04 Z , H01L23/40 A , H01L23/36 D , H01L25/08 Z

Fターム (5件)：

5F036AA01 , 5F036BB21 , 5F036BC05 , 5F036BC33 , 5F036BE09

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-207028 出願人：住友電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-049813 出願人：住友電気工業株式会社
積層型半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-288048 出願人：株式会社東芝

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