特許
J-GLOBAL ID：200903088123554175
半導体集積回路の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-324038
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232064
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 電子走行領域の移動度の低下を防止できる半導体集積回路の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チャンネル領域を有する半導体基板1上に絶縁層3を形成し、チャンネル領域上の絶縁層3にゲート電極用開口部3aを形成し、絶縁層3上に保護層9を形成し、保護層9上に下部電極4を形成し、下部電極4上に容量素子絶縁層5を形成し、容量素子絶縁層5上に上部電極6を形成し、ゲート電極用開口部3aの保護層9を除去し、ゲート電極用開口部3aにゲート電極7を形成する。
請求項（抜粋）：
チャンネル領域を有する半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、前記チャンネル領域上の前記絶縁層にゲート電極用開口部を形成する工程と、前記絶縁層上に保護層を形成する工程と、前記保護層上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に容量素子絶縁層を形成する工程と、前記容量素子絶縁層上に上部電極を形成する工程と、前記ゲート電極用開口部の前記保護層を除去する工程と、前記ゲート電極用開口部にゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/06
, H01L 21/8232
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/095
H01L 27/06 F
, H01L 27/04 C
, H01L 29/80 E
