特許
J-GLOBAL ID：200903088137774631
ガス警報器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
榊原 弘造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-351099
公開番号（公開出願番号）：特開2007-155501
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】不良品率を低減しつつ、低濃度から高濃度までCOを高分解能で検知し、感度の長期安定性を向上させ、製造コストを抑制する。【解決手段】薄膜状の支持膜10c,20cと、その外周部またはその両端部を支持するSi基板10a,20aと、支持膜10c,20cの上側に形成された薄膜ヒーター10e,20eと、薄膜ヒーター10e,20eを覆う電気絶縁膜10f,20fと、ドーパントを含むSnO2薄膜によって電気絶縁膜10f,20f上に形成されたガス感知膜10g,20gと、ガス感知膜10g,20gの抵抗を測定する電極10h,20hと、選択燃焼層10k,20kとを有する半導体式薄膜ガスセンサチップ10,20が複数設けられたガス警報器において、半導体式薄膜ガスセンサチップ10と半導体式薄膜ガスセンサチップ20とでガス感知膜10g,20gの抵抗のガス依存性を異ならせた。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
薄膜状の支持膜と、前記支持膜の外周部または前記支持膜の両端部を支持するためのSi基板と、前記支持膜の上側に形成された薄膜ヒーターと、前記薄膜ヒーターを覆うための電気絶縁膜と、ドーパントを含むSnO2薄膜によって前記電気絶縁膜上に形成されたガス感知膜と、前記ガス感知膜の抵抗を測定するための電極と、多孔質Al2O3微粉末担体粒子によって貴金属触媒を担持している選択燃焼層とを有する半導体式薄膜ガスセンサチップが複数設けられたガス警報器であって、一の半導体式薄膜ガスセンサチップのガス感知膜の抵抗のガス依存性と、他の半導体式薄膜ガスセンサチップのガス感知膜の抵抗のガス依存性とを異ならせたことを特徴とするガス警報器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
2G046AA11
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BB08
, 2G046BE03
, 2G046DC09
, 2G046FB00
, 2G046FB02
, 2G046FE31
, 2G046FE36
, 2G046FE38
, 2G046FE39
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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