特許
J-GLOBAL ID：200903088399946735
半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
増田 達哉
, 朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-135832
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305946
出願日： 2006年05月15日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】 本発明の目的は、半導体素子の損傷等を防止することができる接着剤を備えた半導体装置およびその製造方法を提供すること。また、別の目的は、上記に記載の半導体装置を有する電子機器を提供すること。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体素子と基板または半導体素子と半導体素子とが接着剤を介して接合されており、前記半導体素子と、前記基板とをワイヤーボンディングで電気的に接続した後に、前記半導体素子およびボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止してなる半導体装置であって、前記封止樹脂は、無機充填材を含有しており、前記接着剤は、前記封止樹脂を封止する封止温度での弾性率が6MPa以上のものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子と基板または半導体素子と半導体素子とが接着剤を介して接合されており、
前記半導体素子と、前記基板とをボンディングワイヤーで電気的に接続した後に、前記半導体素子およびボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止してなる半導体装置であって、
前記封止樹脂は、無機充填材を含有しており、
前記接着剤は、前記封止樹脂を封止する封止温度での弾性率が6MPa以上のものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
4M109AA01
, 4M109BA04
, 4M109CA21
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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