特許
J-GLOBAL ID：200903088423298294
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221194
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058957
出願日： 1998年08月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体で構成される半導体レーザ装置において、活性層の両脇に形成される電流ブロック層におけるフリーキャリア吸収損失の低減やリーク電流を低減し、信頼性の高い、かつ高出力の半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 n-InP基板11上に少なくともi-InGaAsP活性層13が形成され、この活性層13を挟むようにp-InP電流ブロック層15が形成されている半導体レーザ装置において、電流ブロック層15を形成する際の有機金属気相成長(MOVPE)の成長条件を初期と後期とで変化させることで、電流ブロック層15は活性層13の近傍では不純物濃度が低濃度であり、活性層13の遠方では高濃度となるようにする。この半導体レーザ装置によれば、電流ブロック層15の耐圧を低下させることなく活性層13の近傍での電流ブロック層15によるフリーキャリア吸収損失を低減することができ、光出力の増大及び高い信頼性を得ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも活性層が形成され、前記活性層を挟むように電流ブロック層が形成されている半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層は前記活性層近傍では不純物濃度が低濃度であり、活性層遠方では高濃度であることを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (6件)：
5F073AA22
, 5F073CA12
, 5F073CB11
, 5F073DA05
, 5F073EA23
, 5F073EA29
