特許
J-GLOBAL ID：200903088758018890
L字型スペーサを利用する半導体トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-145209
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017506
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 L字型スペーサを利用する半導体トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板100上にゲートパターン300を形成し、全面に第1絶縁膜130を形成後、ゲートパターン側面の第1絶縁膜上に第3スペーサ142及び第2スペーサ151を形成する。第2スペーサ及び第3スペーサはL字型である。。第2スペーサ周辺と第2スペーサ下の半導体基板に各々高濃度接合領域180及び中濃度接合領域182を形成する。熱処理後、第2スペーサを除去する。その後第3スペーサの下に低濃度接合領域を形成する。これにより、高濃度接合領域と低濃度接合領域との間に中濃度接合領域が配置される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲートパターンを形成し、前記ゲートパターンを含む半導体基板の全面に第1絶縁膜を形成し、前記ゲートパターン側面の第1絶縁膜上に順次に積層され、水平突出部を有するL字形態を有する第3スペーサ及び第2スペーサを形成し、前記第2スペーサの側壁及び前記ゲートパターンをイオン注入マスクとして用いた高濃度イオン注入工程を実施して、前記第2スペーサ周辺の半導体基板及び前記第2スペーサの水平突出部の下部の半導体基板に各々高濃度接合領域及び中濃度接合領域を同時に形成し、前記高濃度イオン注入工程が実施された半導体基板を熱処理し、前記第2スペーサを除去し、前記第3スペーサの側壁及び前記ゲートパターンをイオン注入マスクとして用いた低濃度イオン注入工程を実施して、前記第3スペーサの水平突出部の下部に低濃度接合領域を形成することを含む半導体トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
Fターム (21件)：
5F140AA00
, 5F140BF03
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BG09
, 5F140BG11
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG20
, 5F140BG50
, 5F140BG53
, 5F140BG54
, 5F140BG58
, 5F140BH13
, 5F140BH15
, 5F140BJ01
, 5F140BJ08
, 5F140BK03
, 5F140BK13
, 5F140BK20
, 5F140CF04
