半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-292078
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197655
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】本発明はチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法に関し、半導体装置の製造効率及び信頼性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】バンプ12が配設された複数の半導体素子11が形成された基板16を金型20のキャビティ28内に装着し、続いてバンプ12の配設位置に樹脂35を供給してバンプ12を封止し樹脂層13を形成する樹脂封止工程と、樹脂層13に覆われたバンプ12の少なくとも先端部を樹脂層13より露出させる突起電極露出工程と、基板16を樹脂層13と共に切断して個々の半導体素子11に分離する分離工程とを有する。

請求項（抜粋）：

突起電極が配設された複数の半導体素子が形成された基板を金型内に装着し、続いて前記突起電極の配設位置に封止樹脂を供給して前記突起電極及び前記基板を前記封止樹脂で封止し樹脂層を形成する樹脂封止工程と、前記突起電極の少なくとも先端部を前記樹脂層より露出させる突起電極露出工程と、前記基板を前記樹脂層と共に切断して個々の半導体素子に分離する分離工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/56 , B29C 33/38 , B29C 45/02 , B29C 45/14 , B29C 45/26 , H01L 21/301 , H01L 21/60 , H01L 21/60 311 , H01L 23/12 501 , B29L 31:34

FI (13件)：

H01L 21/56 E , B29C 33/38 , B29C 45/02 , B29C 45/14 , B29C 45/26 , H01L 21/60 311 Q , H01L 23/12 501 C , B29L 31:34 , H01L 21/78 Q , H01L 21/92 604 S , H01L 21/92 602 D , H01L 21/92 602 F , H01L 21/92 602 L

Fターム (38件)：

4F202AA39 , 4F202AA40 , 4F202AD02 , 4F202AD08 , 4F202AD35 , 4F202AH37 , 4F202CA12 , 4F202CB12 , 4F202CB17 , 4F202CB20 , 4F202CK89 , 4F202CQ05 , 4F206AA39 , 4F206AA40 , 4F206AD02 , 4F206AD08 , 4F206AD35 , 4F206AH37 , 4F206JA02 , 4F206JB17 , 4F206JB20 , 4F206JF05 , 4F206JL02 , 4F206JN32 , 4F206JQ06 , 4F206JQ81 , 4F206JQ83 , 5F044LL11 , 5F044LL13 , 5F044RR12 , 5F044RR17 , 5F044RR18 , 5F044RR19 , 5F061AA01 , 5F061DA01 , 5F061DB01 , 5F061DE01 , 5F061DE06

引用特許：

審査官引用 (9件)

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-215239 出願人：ソニー株式会社
電子部品を硬化プラスチックのケースに納める方法、該方法によってケースに納められた電子部品およびこの方法を実施するための金型
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-011861 出願人：“ドリー・ペー”ライセンシング・ベー・ベー
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-106865 出願人：株式会社東芝

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