強誘電体膜及び半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350089
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152169
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 Bi<SB>4-x</SB>A<SB>x</SB>Ti<SB>3</SB>O<SB>12 </SB>の一般式で表わされる強誘電体材料よりなる強誘電体膜の信頼性を向上させる【解決手段】強誘電体膜は、Bi<SB>4-x+y</SB>A<SB>x</SB>Ti<SB>3</SB>O<SB>12</SB>の一般式で表わされる強誘電体材料よりなる。一般式におけるAは、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及びVからなる群から選ばれた元素である。一般式におけるx及びyは、0≦x≦2及び0<y≦(4-x)×0.1を満たす。

請求項（抜粋）：

Bi<SB>4-x+y</SB>A<SB>x</SB>Ti<SB>3</SB>O<SB>12</SB>の一般式で表わされる強誘電体材料よりなり、前記一般式におけるAは、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及びVからなる群から選ばれた元素であり、前記一般式におけるx及びyは、0≦x≦2及び0<y≦(4-x)×0.1を満たすことを特徴とする強誘電体膜。

IPC (6件)：

H01L 27/105 , H01B 3/12 318 , H01B 3/12 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01B 3/12 318 , H01B 3/12 318 A , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 444 A , H01L 29/78 371

Fターム (25件)：

5F083FR02 , 5F083FR05 , 5F083FR06 , 5F083FR07 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083NA08 , 5F083PR23 , 5F101BA62 , 5F101BH16 , 5G303AA07 , 5G303AB14 , 5G303BA03 , 5G303CA01 , 5G303CB05 , 5G303CB15 , 5G303CB22 , 5G303CB26 , 5G303CB35 , 5G303CB36 , 5G303CB41 , 5G303CB43

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体記憶素子およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-126117 出願人：沖電気工業株式会社
非揮発性強誘電体キャパシタ及び非揮発性強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-060909 出願人：盧泰元
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-067333 出願人：三菱電機株式会社, 東京工業大学長

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