特許
J-GLOBAL ID:200903089164497743
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
紋田 誠 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-362237
公開番号(公開出願番号):特開2001-176890
出願日: 1999年12月21日
公開日(公表日): 2001年06月29日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 はんだSのプリフォーム工程をなくすとともに、リードフレームのダイパッドサイズとほぼ同等のサイズのチップをダイボンディングすること。【解決手段】 複数の半導体素子が作り込まれており、裏面にメタル部11aが形成されている半導体ウエハと、このウエハの裏面のメタル部に接合されたはんだ材12とを、この半導体ウエハ11に作り込まれている半導体素子単位にダイシングすることで、半導体素子の裏面メタル部にほぼ同一寸法のはんだが設けられている半導体チップを形成する。この半導体チップを用いることで、リードフレームのダイパッドに従来より大きな寸法の半導体チップを搭載しダイボンディングする。
請求項(抜粋):
複数の半導体素子が作り込まれており、裏面にメタル部が形成されている半導体ウエハと、この半導体ウエハの裏面のメタル部に接合されたはんだ材と、を有することを特徴とする半導体装置。
Fターム (7件):
5F047AA11
, 5F047BA05
, 5F047BA06
, 5F047BB03
, 5F047BB19
, 5F047BC06
, 5F047CB01
引用特許:
審査官引用 (14件)
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半導体装置の組立方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-257827
出願人:松下電子工業株式会社
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特開昭63-093119
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特開平2-039442
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ろう材料層を有する半導体基体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-047059
出願人:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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特開平4-154131
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-084643
出願人:九州日本電気株式会社
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樹脂封止型半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-266071
出願人:日本電気株式会社
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-362238
出願人:ローム株式会社
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特開昭63-160346
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半導体部品の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-307392
出願人:日東電工株式会社
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特開平4-352432
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特開平3-052242
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特開昭61-248539
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特開昭61-113246
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