特許
J-GLOBAL ID：200903089254192860

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
佐藤 健一郎

佐藤 健一郎 について

, 
児玉 邦彦

児玉 邦彦 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-037770
公開番号（公開出願番号）：特開2005-227645
出願日： 2004年02月16日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】孤立溝(トレンチ)パターン及び密トレンチパターン形成において広いプロセスウインドウ確保が可能なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)特定の繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により特定のスルホン酸を発生する化合物及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(A1)で表される繰り返し単位及び下記一般式(A2)で表される繰り返し単位の内の少なくとも1種類の繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、 (B)活性光線又は放射線の照射により下記一般式(X)で表される酸を発生する化合物及び (C)溶剤 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F7/004 ,  C08F120/10 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (5件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  C08F120/10 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (35件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02S ,  4J100AK32S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AR32R ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA11P ,  4J100BA11R ,  4J100BA15S ,  4J100BA16S ,  4J100BA20P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC12R ,  4J100BC53P ,  4J100BC58P ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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