特許
J-GLOBAL ID：200903089337878110

半導体装置及びその製造方法

発明者：
井上 恭典

井上 恭典 について

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辻村 和俊

辻村 和俊 について

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谷本 伸一

谷本 伸一 について

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山下 保彦

山下 保彦 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005846
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142580
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 窒素雰囲気中のスパッタリングにより、活性なAlの上に窒化Ti膜を形成する際に、Al表面が窒化しないようにする。【構成】 各部材は、単結晶Si基板1、Si酸化膜2、Ti薄膜3、窒化Ti薄膜4、第1層配線層としてのアルミ合金薄膜5、窒化Ti薄膜6、Si酸化膜7、コンタクトホール8、Ti薄膜21、窒化チタン薄膜9、第2層配線層としてのアルミ合金薄膜10及び窒化Ti薄膜11である。窒化Ti薄膜9の形成前に形成されたTi薄膜21がバッファ層として働き、アルミ合金薄膜5の表面が窒素雰囲気にさらされるのを防ぐ。そのため、アルミ合金薄膜5の表面が窒化することはなく、コンタクトホール8のコンタクト抵抗が大きくなることはない。
請求項（抜粋）：
アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の上にチタン膜が形成され、そのチタン膜の上に窒化チタン膜が形成されていることを特徴とした半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213
FI (3件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 D
引用特許：
審査官引用 (18件)
  • 特開平4-332152
  • 特開平4-018760
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-026029   出願人：ヤマハ株式会社
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