特許
J-GLOBAL ID：200903089571334565
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251639
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082842
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 安価なSi基板を用いてその上に良質なZnO膜を配向させ、その上方にInxGayAlzN系の半導体発光素子を作製する。【解決手段】 Si基板2の上に熱酸化によりSiO2膜3を100Å以上の厚みに形成し、その上にZnO膜4をc軸配向させる。さらに、ZnO膜4の上にn型GaN層5、n型AlGaN層6、InGaN層(発光層)7、p型AlGaN層8、p型GaN層9をエピタキシャル成長させ、Si基板2の下面全面に下部電極10を設け、p型GaN層9の上面に部分的に上部電極11を形成する。
請求項（抜粋）：
Si基板上にSiO2膜を介してZnO膜を成膜させることによって下地基板を形成し、この下地基板の上にInxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体層を形成した半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5F041AA11
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA14
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041FF01
, 5F041FF12
, 5F073BA05
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB04
, 5F073CB07
, 5F073DA07
, 5F073EA07
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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