特許
J-GLOBAL ID：200903090324736667
半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219110
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063711
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】半導体レーザ素子の信頼度を初期特性検査で判定することが可能な技術を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられたクラッド層及び前記クラッド層上に設けられたコンタクト層を含むリッジと、前記リッジの側面を覆うようにして設けられた絶縁膜と、前記リッジを覆うようにして前記絶縁膜上に設けられ、かつ前記コンタクト層に接続された電極とを有し、前記電極は、前記絶縁膜上に設けられたTi膜及び前記Ti膜上に設けられたAu膜を含み、前記Ti膜は、前記リッジ側面での膜厚が10nm以下になっている。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられたクラッド層及び前記クラッド層上に設けられたコンタクト層を含むリッジと、
前記リッジの側面を覆うようにして設けられた絶縁膜と、
前記リッジを覆うようにして前記絶縁膜上に設けられ、かつ前記コンタクト層に接続された電極とを有する半導体レーザ素子であって、
前記電極は、前記絶縁膜上に設けられたTi膜及び前記Ti膜上に設けられたAu膜を含み、
前記Ti膜は、前記リッジ側面での膜厚が10nm以下になっていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073BA01
, 5F073BA04
, 5F073CA15
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073EA29
, 5F073HA04
