特許
J-GLOBAL ID：200903090370339486

半導体装置の製造方法

発明者：
田中 琢爾

田中 琢爾 について


出願人/特許権者：
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 松倉 秀実 ,  平川 明 ,  高田 大輔 ,  遠山 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-334030
公開番号（公開出願番号）：特開2009-157573
出願日： 2007年12月26日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】目標とする電気的特性の半導体装置を製造する。【解決手段】レイアウト変数と測定された電気的特性との関数関係を決定し、与えられた半導体装置の設計レイアウトデータからレイアウト変数の値を抽出し、レイアウト変数の値を関数関係に適用することにより設計レイアウトデータから製造される半導体装置の電気的特性を予測する。設計レイアウトデータから抽出されたレイアウト変数の値に代えて、列挙された変数の値の候補によって設計レイアウトデータを変更し、半導体装置の設計レイアウトデータを変更し、半導体装置を製造する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子の電気的特性を測定する工程と、 前記複数の半導体素子のレイアウトデータに基づいて、レイアウト変数を定義し、前記レイアウト変数と前記電気的特性との関数関係を決定する工程と、 半導体装置の設計レイアウトデータから前記レイアウト変数の値を抽出する工程と、 前記値と、前記関数関係とに基づいて前記半導体装置の予測電気的特性を求めるする工程と、 前記半導体装置の目標電気的特性と前記予測電気的特性との差分を求める工程と、 前記値の候補を複数生成する変数値生成工程と、 前記差分が減少するように前記候補の中から特定値を選択する選択工程と、 前記特定値に基づいて、前記設計レイアウトデータを変更する工程と、 前記変更された前記設計レイアウトデータに基づいて、前記半導体装置を製造する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
G06F 17/50 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/82
FI (4件)：
G06F17/50 666S ,  G06F17/50 658M ,  H01L27/04 T ,  H01L21/82 D
Fターム (24件)：
5B046AA07 ,  5B046BA04 ,  5B046JA01 ,  5F038CA02 ,  5F038CD09 ,  5F038DT12 ,  5F038DT17 ,  5F038EZ09 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F064CC10 ,  5F064DD10 ,  5F064DD24 ,  5F064EE47 ,  5F064GG01 ,  5F064GG03 ,  5F064GG07 ,  5F064HH02 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM